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型号 SI4931DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
SI4931DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4931DY-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 P 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 18 毫欧 @ 8.9A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 350µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 52nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI4931DY-T1-GE3CT
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